氣候環(huán)境試驗(yàn)：低氣壓試驗(yàn)、濕熱試驗(yàn)、壽命試驗(yàn)、高溫試驗(yàn)、耐久性試驗(yàn)、快速溫度變化試驗(yàn)、鹽霧試驗(yàn)、耐潮濕試驗(yàn)、高溫工作壽命、溫度循環(huán)試驗(yàn)、高壓蒸煮試驗(yàn)
其他環(huán)境試驗(yàn)：密封試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、振動(dòng)試驗(yàn)、強(qiáng)度試驗(yàn)、耐焊接熱試驗(yàn)、剪切強(qiáng)度、鍵合強(qiáng)度、易燃性試驗(yàn)、跌落試驗(yàn)

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。 在半導(dǎo)體器件的制造、運(yùn)輸、儲(chǔ)存和使用過(guò)程中，很容易受到周?chē)鷼夂颦h(huán)境因素的有害影響。
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，特別是航空航天技術(shù)的發(fā)展，各種半導(dǎo)體器件所處的環(huán)境可能更復(fù)雜更嚴(yán)苛。這就要求在開(kāi)始研發(fā)時(shí)就應(yīng)該考慮預(yù)期的環(huán)境因素對(duì)半導(dǎo)體器件的影響，并采取相應(yīng)的防護(hù)措施。
半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗(yàn)是將半導(dǎo)體器件、設(shè)備暴露在自然環(huán)境和人工模擬的環(huán)境中，從而對(duì)它們?cè)趯?shí)際可能遇到的儲(chǔ)存、運(yùn)輸和使用過(guò)程中的性能作出評(píng)價(jià)。 健明迪檢測(cè)環(huán)境可靠性實(shí)驗(yàn)中心擁有各種半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備，具備環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰?，為半?dǎo)體器件、設(shè)備提供專(zhuān)業(yè)的環(huán)境試驗(yàn)服務(wù)。

健明迪檢測(cè)環(huán)境可靠性實(shí)驗(yàn)中心擁有各種半導(dǎo)體器件環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備，具備環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰Γ瑸榘雽?dǎo)體器件、設(shè)備提供專(zhuān)業(yè)的環(huán)境試驗(yàn)服務(wù)。

GB/T 4937.1-2006 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第1部分：總則
GB/T 4937.2-2006 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第2部分:低氣壓
GB/T 4937.4-2012 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)
EN 60749-5-2003 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第5部分：穩(wěn)態(tài)溫度濕度偏差壽命試驗(yàn)
EN 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第6部分：高溫儲(chǔ)存
GB/T 4937.8 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第8部分:密封
IEC 60749-9：2017 半導(dǎo)體器件-機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法-第9部分：標(biāo)記的持久性
GB/T 4937.10 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第10部分:機(jī)械沖擊
GB/T 4937.11-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第11部分:快速溫度變化 雙液槽法
GB/T 4937.12-2012 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第12部分:掃頻振動(dòng)
GB/T 4937.13-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第13部分:鹽霧
GB/T 4937.14-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第14部分:引出端強(qiáng)度(引線牢固性)
GB/T 4937.15-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱
GB/T 4937.19-2018 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第19部分:芯片剪切強(qiáng)度

常見(jiàn)半導(dǎo)體器件主要包括二端子、三端子和四端子器件。
兩端設(shè)備包括：二極管（整流二極管）、耿氏二極管、沖擊二極管、激光二極管、齊納二極管、肖特基二極管、PIN二極管、隧道二極管、發(fā)光二極管 （LED）、光電晶體管、光電管、太陽(yáng)能電池、瞬態(tài)電壓抑制二極管、VCSEL；
三端設(shè)備包括：、雙極晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）、單結(jié)晶體管、可控硅整流器、晶閘管、雙向可控硅；
四端設(shè)備包括：光電耦合器（光耦合器）、霍爾效應(yīng)傳感器（磁場(chǎng)傳感器）。