高溫低氣壓和低溫低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 2423.27-2020環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)方法和導(dǎo)則：溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗(yàn)
GJB150.2A-2009軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 低氣壓(高度)試驗(yàn)
GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法》方法105低氣壓試驗(yàn)
GJB 548B-2005方法1001低氣壓《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》方法1001低氣壓（高空工作）
GB/T2423.21-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)M：低氣壓》
GB/T2424.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)溫度（低溫、高溫）低氣壓振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
IEC68-2-41（1976）《基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程第二部分試驗(yàn)試驗(yàn)Z/BM高溫/低氣壓試驗(yàn)》
HB5830.14-96《機(jī)載設(shè)備環(huán)境條件與試驗(yàn)方法低氣壓（高度）》
JB3224-83）-使用于高海拔地區(qū)電工產(chǎn)品低氣壓試驗(yàn)方法
GB/T4857.13-1992包裝運(yùn)輸包裝件低氣壓試驗(yàn)方法
GB12085.5-1989光學(xué)和光學(xué)儀器環(huán)境試驗(yàn)方法綜合低溫與低氣壓
GGB/T10590-1989低溫低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件
GB/T5170.10-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法高低溫低氣壓試驗(yàn)設(shè)備

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高溫低氣壓和低溫低氣壓試驗(yàn)設(shè)備參數(shù)
試驗(yàn)區(qū)尺寸：80×90×100 (W×H×D) cm（約700L）
溫度范圍：（-70～160）℃
低壓范圍：常壓（101.305kPa）~0.5kPa
降壓時(shí)間：常壓~1kPa≤30min
升壓時(shí)間：1kPa~常壓≥10min
樣品架承重：40kg/層

高低溫低氣壓試驗(yàn)常用于航空航天、信息電子等領(lǐng)域，比如儀器儀表、電子電工設(shè)備、材料、零部件等，要測(cè)試其在低氣壓以及高低溫或高低溫濕熱低氣壓綜合環(huán)境下的適應(yīng)性與可靠性。
高低溫低氣壓試驗(yàn)主要用于航空、航天、電子、國(guó)防、科研等領(lǐng)域，是用設(shè)備模擬高空氣壓環(huán)境，用來(lái)確定儀器儀表、電子電工產(chǎn)品、材料、零部件、設(shè)備或其他產(chǎn)品在低氣壓和溫度環(huán)境條件下貯存、運(yùn)輸或使用的適應(yīng)性，并可同時(shí)對(duì)試件通電進(jìn)行電氣性能參數(shù)的測(cè)試。

低氣壓環(huán)境可能導(dǎo)致裝備或產(chǎn)品產(chǎn)生以下物理、化學(xué)效應(yīng)如下：
a、密封墊密封的殼體漏氣、漏液體；　　
b、密封容器變形、破損或破裂；
c、低密度材料的物理和化淡定性能發(fā)生變化；
d、裝備因熱傳導(dǎo)降低而發(fā)生過(guò)熱；
e、潤(rùn)滑劑蒸了；
f、發(fā)動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)和工作不穩(wěn)定；
g、真空密封失效；

低氣壓試驗(yàn)就是將試驗(yàn)樣品放入試驗(yàn)箱，然后將箱內(nèi)氣壓降低到有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的值，并保持規(guī)定持續(xù)時(shí)間的試驗(yàn)。本試驗(yàn)適用于在飛機(jī)貨艙中空運(yùn)的產(chǎn)品，在高原上使用的產(chǎn)品和空運(yùn)產(chǎn)品在飛機(jī)受傷后發(fā)生壓力迅速下降的情形。試驗(yàn)的苛刻程度取決于溫度、低氣壓和暴露持續(xù)時(shí)間。